Российская
Информационная
Сеть
English version
Карта России - Найти человека - Желтые страницы Сделать стартовой Сделать закладку
   
 
Поиск    
   
  Новость   На RIN    Каталог   Организацию   Музыку   В интернете  
                         

Основные разделы
Государство и власть
Справочная информация
Бизнес и инвестиции
E-commerce
Наука и образование
Культура и искусство
Пути к истине
Дом и семья
Здоровье и спорт
Отдых и развлечения
Азарт


Открытки

Мода

Юмор

Коллекции
Р
а
з
в
л
е
ч
е
н
и
я
  Internet-Радио
Автомобили
Анекдоты
Арсенал
Астропрогноз
Библиотека
Видеоклипы
Новости
Виртуальный ЗАГС
Знакомства
Знаменитости
Игровой сервер
Картинки для сотовых
Кино
Коллекции
Кулинария
Лекарства, медикаменты
Мелодии для сотовых
Музыка MP3
Непознанное
Объявления
Программирование
Фотоальбомы

 

Новый материал на основе графена позволит продлить срок службы устройств хранения данных

 Новый материал на основе графена позволит продлить срок службы устройств хранения данных

ПРЕСС-РЕЛИЗ

Новый материал на основе графена позволит продлить срок службы устройств хранения данных

Международная группа ученых НИТУ "МИСиС" и Национального института квантовых наук и радиологии (Япония) разработали материал, который позволит существенно увеличить плотность записываемой информации в устройствах хранения данных, таких как твердотельные диски и флеш-накопители. К преимуществам нового материала также стоит отнести отсутствие лимита перезаписи, что позволит внедрить устройства из нового материала в актуальную технологию Big Data. Статья о разработке опубликована в журнале Advanced Materials.

Разработка компактных, вместительных и надежных устройств памяти - все более возрастающая необходимость. На сегодняшний день традиционными являются устройства, в которых информация переносится при помощи электрического тока; простейший пример - флеш-карта или внешний жесткий диск. При этом время от времени пользователи неизбежно сталкиваются с проблемами: файл может записаться некорректно, компьютер может перестать "видеть" флешку, а для записи большого количества информации требуются довольно громоздкие носители.

Многообещающей альтернативой электронике является спинтроника, где управление переносом информации реализуется не только с помощью заряда электронов, но также и при помощи тока спинов - собственных моментов импульса электронов. В спинтронике устройства работают на принципе магниторезистивного эффекта (магнитного сопротивления): имеются три слоя, первый и третий из которых ферромагнитные, а средний - немагнитный. Проходя через такую структуру типа "сэндвич", электроны, в зависимости от их спина, по-разному рассеиваются в намагниченных краевых слоях, что влияет на результирующее сопротивление устройства. Детектируя увеличение или же уменьшение данного сопротивления, можно управлять информацией при помощи стандартных логических битов, 0 и 1.

Международная группа ученых НИТУ "МИСиС" и Национального института квантовых наук и радиологии, Япония (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology) разработали материал, который может существенно увеличить ёмкость магнитной памяти - благодаря повышению плотности записи. Ученые использовали комбинацию из графена и полуметаллического сплава Гейслера Co2FeGaGe (кобальт-железо-галлий-германий).

"Уникальность данной разработки заключается в том, что японским коллегам впервые удалось получить слой графена атомарной толщины на слое полуметаллического ферромагнитного материала и измерить его свойства, - рассказывает руководитель научной группы с российской стороны, д.ф.-м.н., доцент, научный руководитель инфраструктурного проекта "Теоретическое материаловедение наноструктур" лаборатории "Неорганические наноматериалы" НИТУ "МИСиС" Павел Сорокин. - Данная работа стала возможна благодаря тесному международному взаимодействию. Японский коллектив, возглавляемый доктором Сейджи Сакаем, проводит уникальные эксперименты, в то время как наша группа занимается теоретическим описанием полученных данных. Наши коллективы сотрудничают уже много лет и получили ряд важных результатов".

Особенность используемого в гетероструктуре сплава проявляется в стопроцентной спиновой поляризации на уровне Ферми, что является необходимым условием для использования его в спинтронных устройствах" - добавил научный сотрудник Константин Ларионов.

"В исследованной нами гетероструктуре графен не вступает в химическое взаимодействие с магнитным материалом, что позволяет сохранить его уникальные проводящие свойства" - заключил старший научный сотрудник Захар Попов.

Ранее в устройствах магнитной памяти не использовался графен: при попытках изготовления таких слоистых материалов атомы углерода вступали в реакцию с магнитным слоем, что приводило к изменению его свойств. Благодаря тщательному подбору состава сплава Гейслера, а также методов его нанесения, удалось создать более тонкий образец, по сравнению с предшествующими аналогами. Это, в свою очередь, позволит существенно повысить емкость устройств магнитной памяти без увеличения их физических размеров.

Следующие шаги ученых - масштабирование экспериментального образца и дальнейшая модификация структуры элемента.

Опубликовано: 27.01.2020
Агрессия у детей
Агрессия у детей возникает по ряду причин
Цветы в подарок
Преподнесенные цветы расскажут о ваших чувствах либо послужат дополнением к подарку
Читать другие статьи
 
Добавить ресурс - Вакансии - Статистика - Контакты -
 
RIN 1999-
* Обратная связь