Новый материал на основе графена позволит продлить срок службы устройств хранения данных

ПРЕСС-РЕЛИЗ

Новый материал на основе графена позволит продлить срок службы устройств хранения данных

Международная группа ученых НИТУ "МИСиС" и Национального института квантовых наук и радиологии (Япония) разработали материал, который позволит существенно увеличить плотность записываемой информации в устройствах хранения данных, таких как твердотельные диски и флеш-накопители. К преимуществам нового материала также стоит отнести отсутствие лимита перезаписи, что позволит внедрить устройства из нового материала в актуальную технологию Big Data. Статья о разработке опубликована в журнале Advanced Materials.

Разработка компактных, вместительных и надежных устройств памяти - все более возрастающая необходимость. На сегодняшний день традиционными являются устройства, в которых информация переносится при помощи электрического тока; простейший пример - флеш-карта или внешний жесткий диск. При этом время от времени пользователи неизбежно сталкиваются с проблемами: файл может записаться некорректно, компьютер может перестать "видеть" флешку, а для записи большого количества информации требуются довольно громоздкие носители.

Многообещающей альтернативой электронике является спинтроника, где управление переносом информации реализуется не только с помощью заряда электронов, но также и при помощи тока спинов - собственных моментов импульса электронов. В спинтронике устройства работают на принципе магниторезистивного эффекта (магнитного сопротивления): имеются три слоя, первый и третий из которых ферромагнитные, а средний - немагнитный. Проходя через такую структуру типа "сэндвич", электроны, в зависимости от их спина, по-разному рассеиваются в намагниченных краевых слоях, что влияет на результирующее сопротивление устройства. Детектируя увеличение или же уменьшение данного сопротивления, можно управлять информацией при помощи стандартных логических битов, 0 и 1.

Международная группа ученых НИТУ "МИСиС" и Национального института квантовых наук и радиологии, Япония (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology) разработали материал, который может существенно увеличить ёмкость магнитной памяти - благодаря повышению плотности записи. Ученые использовали комбинацию из графена и полуметаллического сплава Гейслера Co2FeGaGe (кобальт-железо-галлий-германий).

"Уникальность данной разработки заключается в том, что японским коллегам впервые удалось получить слой графена атомарной толщины на слое полуметаллического ферромагнитного материала и измерить его свойства, - рассказывает руководитель научной группы с российской стороны, д.ф.-м.н., доцент, научный руководитель инфраструктурного проекта "Теоретическое материаловедение наноструктур" лаборатории "Неорганические наноматериалы" НИТУ "МИСиС" Павел Сорокин. - Данная работа стала возможна благодаря тесному международному взаимодействию. Японский коллектив, возглавляемый доктором Сейджи Сакаем, проводит уникальные эксперименты, в то время как наша группа занимается теоретическим описанием полученных данных. Наши коллективы сотрудничают уже много лет и получили ряд важных результатов".

Особенность используемого в гетероструктуре сплава проявляется в стопроцентной спиновой поляризации на уровне Ферми, что является необходимым условием для использования его в спинтронных устройствах" - добавил научный сотрудник Константин Ларионов.

"В исследованной нами гетероструктуре графен не вступает в химическое взаимодействие с магнитным материалом, что позволяет сохранить его уникальные проводящие свойства" - заключил старший научный сотрудник Захар Попов.

Ранее в устройствах магнитной памяти не использовался графен: при попытках изготовления таких слоистых материалов атомы углерода вступали в реакцию с магнитным слоем, что приводило к изменению его свойств. Благодаря тщательному подбору состава сплава Гейслера, а также методов его нанесения, удалось создать более тонкий образец, по сравнению с предшествующими аналогами. Это, в свою очередь, позволит существенно повысить емкость устройств магнитной памяти без увеличения их физических размеров.

Следующие шаги ученых - масштабирование экспериментального образца и дальнейшая модификация структуры элемента.